日本半导体初创公司Rapidus计划于2027年下半年，在其位于北海道的IIM-1晶圆厂开始量产2nm晶圆。该公司旨在通过先进制造技术和下一代封装技术，重塑日本在全球芯片产业中的领先地位。
目前，Rapidus已进入使用2nm全环绕栅极（GAA）晶体管技术的300mm晶圆试产阶段。这家初创公司正处于高速发展期，力求在成立仅五年之际便实现代工业务的规模化。
聚焦先进封装
该公司的研发重点不仅限于晶圆制造。为了与台积电（TSMC）、三星和英特尔等行业巨头展开竞争，Rapidus还在积极开发先进封装能力。
“我们必须解决功耗、空间和散热方面的挑战，”Rapidus合作伙伴生态与营销团队负责人Stephen DiFranco表示，“这无法通过单一手段实现，但其中一个关键方向是更智能、多维度的封装技术。”
该战略还包括扩大其芯粒（chiplet）解决方案部门的规模。继去年4月其600mm平方重布线层（RDL）中介层取得成功后，该部门已进入全面运营阶段。
此外，Rapidus正与其制造合作伙伴共同建立用于物理、环境和化学分析的新型设施。这些基础设施将为现代半导体制造所需的复杂供应链提供有力支撑。
从零开始建设晶圆代工厂面临着独特的挑战，但该公司认为，没有历史包袱反而是一种竞争优势。与那些老牌巨头不同，Rapidus无需维持陈旧且效率低下的制造工艺。
“我们的优势在于拥有一支拥有数十年经验的高管团队，这让我们有机会实现‘白手起家’式的全新开局，”DiFranco表示。
